شرکت سامسونگ به عنوان شرکتی پیشرو در بخش حافظه‌های پیشرفته جهان، اخیرا اعلام کرد که حافظه‌های HBM3E 12H را به عنوان یکی از پرظرفیت‌ترین تراشه‌های حافظه‌ای جهان، توسعه داده است.
به گزارش کاماپرس، این محصول نخستین حافظه DRAM 12 لایه‌ای HBM3E در صنعت محسوب شده و در عین حال، بالاترین ظرفیت در میان حافظه‌های با پهنای باند بالا یا HBM (High Bandwidth Memory) را دارد.
گفتنی است، حافظه HBM3E 12H از بالاترین پهنای باند یعنی حدود ۱۲۸۰ گیگابایت بر ثانیه و همچنین بیشترین ظرفیت حافظه HBM یعنی ۳۶ گیگابایت برخوردار بوده که در مقایسه با حافظه‌های ۸ لایه‌ایHBM3، در هر دو ویژگی پهنای‌باند و ظرفیت بیش از ۵۰ درصد ارتقا خوبی داشته است.
تکنولوژی جدید سامسونگ و هوش مصنوعی
یونگ چئول بائه، معاون اجرایی برنامه‌ریزی حافظه‌ها در شرکت سامسونگ، با بیان اینکه فعالان خدمات هوش‌مصنوعی در صنعت نیازمند حافظه‌های مدل HBM با ظرفیت بالا هستند، عنوان کرد: HBM3E 12H به گونه‌ای طراحی شده که به نیاز مشتریان پاسخ دهد.
حافظه‌های HBM معمولا به شکل مکعب یا مکعب مستطیل طراحی شده‌اند که در آن چندین لایه تراشه حافظه روی هم قرار گرفته و یک توده مکعبی را تشکیل می‌دهد. همچنین حافظه‌های HBM3E 12H از لایه‌ای نارسانا، فشرده‌ساز و حرارتی پیشرفته با عنوان TC NCF استفاده می‌کند، نمونه‌های 12 لایه را قادر می‌سازد، ارتفاعی مشابه نمونه‌های 8 لایه داشته باشند.
دستاورد سامسونگ در زمینه کاهش ضخامت مواد NCF
در حال حاضر صنعت به دنبال کاهش میزان انحراف یا تغییر حالت تراشه‌ها در حین نازک‌تر کردن آن‌هاست و در این زمینه سامسونگ به کاهش ضخامت مواد NCF خود ادامه داده؛ تا جاییکه در این حافظه‌ها به کوچکترین فاصله بین تراشه‌ها در صنعت یعنی ۷ میکرومتر (µm) دست‌یافته است. این مساله باعث شده تراکم عمودی HBM3E 12H در مقایسه با حافظه‌های HBM3 8H بیشتر از ۲۰ درصد افزایش پیدا کند.
سامسونگ همچنین عملکرد خنک‌سازی حافظه HBM را نیز بهبود بخشیده که با ایجاد برجستگی و برآمدگی‌هایی با ابعاد متفاوت در نقاط اتصال بین تراشه‌ها امکان‌پذیر شده است. این شیوه اتصالات همچنین به افزایش بازدهی محصول نیز کمک می‌کند.
بیشتر بخوانید:
- ارزان ترین تبلت سامسونگ برای استفاده روزمره
- تفاوت اساسی گوشی سامسونگ اس ۲۴ اولترا ، اس ۲۳ و اس ۲۲ (ویدئو)
افزایش 34 درصدی سرعت آموزش هوش مصنوعی با تراشه جدید سامسونگ
انتظار بر این است که HBM3E 12H به عنوان یک راه‌حل مناسب برای سیستم‌های آینده که به حافظه بیشتری نیاز دارند، تبدیل شود. به عبارت دیگر، عملکرد و ظرفیت بالای این حافظه‌های سامسونگ به کاربران امکان آن را می‌دهد که منابع خود را با انعطاف‌بیشتری مدیریت کرده و هزینه کل مالکیت (TCO) را برای مراکز داده کاهش دهند.
تخمین‌ها بر این است که اگر از حافظه‌های HBM3E 12H در هوش‌مصنوعی استفاده شود، سرعت متوسط آموزش هوش‌مصنوعی تا 34 درصد افزایش می‌یابد.
گفتنی است، سامسونگ تولید نمونه‌های اولیه HBM3E 12H را آغاز کرده و تولید انبوه آن برای نیمه اول سال جاری برنامه‌ریزی شده است.
انتهای پیام
مرتبط با :
سامسونگ